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SIR466DP-T1-GE3 |
PowerPAK? SO-8 | Vishay Siliconix | 12168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SIR466DP-T1-GE3参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2730pF @ 15V 功率 - 最大值:54W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 矩形- 接头,公引PRPC004DBAN-M71RC 陶瓷电容器ERB1885C2E430GDX5D Card EdgeASM36DTMN-S189 逻辑 - 栅极和逆SN74AHC1G08DBVTG4 Card EdgeHBM02DRTN 矩形FFSD-10-S-02.00-01-N 电路板衬垫,支座901-105 Card EdgeASC49DRTH PMIC - 稳压MIC5364-3.3YMTTR Card Edge342-070-540-202 |