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SIR466DP-T1-GE3

PowerPAK? SO-8 Vishay Siliconix 12168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SIR466DP-T1-GE3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2730pF @ 15V
功率 - 最大值:54W
安装类型:表面贴装

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